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12月 6 2016

三星高管偷卖的14/10nm工艺 到底是什么机密?


据外媒报道,韩国警方近日逮捕了三星System LSI部门的一位李姓高管,原因是他将该公司的半导体技术机密(三星14nm、10nm工艺)卖给了某中国公司,而对方是三星电子的直接竞争对手(具体是谁未公开)。

传言称,14nm工艺非常卓越,GF、AMD等著名厂商对其非常依赖。掌握了这项工艺,甚至更先进的10nm工艺,也就掌握了未来芯片行业的话语权。

一直以来,三星在半导体工艺方面技术精湛,一路高歌猛进,虽然在这方面英特尔处于绝对的王者地位,但三星的突起还是令其感到了不小的压力。

 

14/10nm究竟是什么?

这还得从处理器的基本组成说起。一般来说,一颗微处理器是由不同材料制成的许多“层”堆叠起来的电路,里面包含了晶体管、电阻器、以及电容器等微小元件。这些微小元件用肉眼很难看清楚,因为它们的尺寸非常之小,并且数量之多,密集的让人难以想象。

  

这些小元件整齐的排列在一块“板子”上,它们相互之间都有缝隙,这个缝隙实质就是元件与元件之间的距离,这个距离一般用毫微米进行衡量。后来纳米概念诞生后,就一直沿用“纳米”(nanometers)来描述这个距离。

也就是说,14/10nm其实就是芯片上元件间的间距,这个间距越小,排列在芯片上的元件就越多。这意味着性能更加强大,能效表现更为优异。

  

这也是英特尔、三星等一直追求14nm、10nm甚至是7nm的原因。

14nm的诞生

在2014年,当大部分厂商还在研究22nm的FinFET工艺时,英特尔已经推进到了14nm工艺。在芯片行业的推进上,英特尔可以说是独步天下。

从2007年的45nm工艺,到2009年的32nm工艺,到2011年的22nm工艺,再到2014年的14nm工艺,无与伦比的先进制造工艺,让全球厂商为之眼红。

  

然而,看似风光的英特尔,在推进过程中也遇到不少难题。据英特尔称,他们本该2013年底时就会推出14nm的测试芯片,并于2014年开始量产,但实际比原推进计划晚了几个季度。由于14nm工艺良品率初期低得要命,直到2014年第二季度末才达到量产标准。

三星的14nm工艺

在2014年底,也就是英特尔的14nm工艺推出没几个月,三星就直接宣布进入14nm工艺。

这前所未有的举动在业界瞬间轰动了起来,甚至连英特尔都坐不住了。要知道,在这之前,英特尔的制造工艺在业内是处于绝对领先的地位的。

  

三星此举让同为竞争对手的台积电也自愧不如,但随后又爆出猛料,称该公司前员工加入三星后,将TSMC自家的28nm工艺泄露给了三星,这对于三星14nm工艺进度起了至关重要的作用。

这样说也无可厚非,毕竟三星可是跳过了20nm,直接进入了14nm工艺,并且据台积电称,三星的14nm工艺带有台积电的技术特性。

看来,三星的14nm工艺并不纯正。

  

除此之外,台积电高管还爆料,最早采用FinFET的16纳米工艺,原本计划跟随英特尔,称为20纳米FinFET。因为该工艺的电晶体最小线宽(half-pitch)与量产的前一代20纳米传统电晶体工艺差不多,只是换上全新的FinFET电晶体。然而,三星抢先命名为“14nm”!也就是说,三星的出现,扰乱了市场的命名的惯例。

10nm

在14nm上逐渐赶上英特尔的三星,在10nm的研究上,几乎和强大的竞争对手英特尔站在了同一起跑线上。

然而,10nm的研究,似乎并不顺利。

按照英特尔的计划,10nm预计在2015年就能推出,由于14nm工艺的跳票,打乱了时间节点,并且10nm的研究中可能遇到了不小的难题。

目前,英特尔10nm工艺已经开始试产,并且表示将在2017年上半年量产10nm,在下半年发布10nm产品。

  

反观三星,虽然在去年展示了10nm的晶圆,并表示将在2017年量产10nm工艺。但是到目前为止,几乎没什么动静。

与三星同为竞争对手的台积电却是非常高调,宣布将在今年底开始量产10nm。这一点也是可以理解,毕竟与三星同为晶圆代工,谁先胜出,谁就能得到更多的代工业务。

不过,有专业人士透露,台积电的十六纳米等于英特尔的二十纳米、十纳米等于英特尔的十二纳米……在这一方面,台积电也是积极承认。

  

文章来源:新材全球网

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Written by yuefabo


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